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Si7948DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.12
0.10
800
700
V GS = 4.5 V
600
C iss
0.08
500
V GS = 10 V
0.06
400
0.04
0.02
0.00
300
200
100
0
C oss
C rss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 30 V
I D = 15 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 10 A
16
1.8
12
8
1.6
1.4
1.2
1.0
4
0.8
0
0.6
0
4
8
12
16
20
24
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.200
0.175
0.150
0.125
T J - Junction Temperature ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.100
0.075
I D = 4.6 A
1
T J = 25 °C
0.050
0.025
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
1 0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72403
S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09
V GS - Gate-to-Source V oltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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